长江存储:国家存储器基地项目二期(土建)开工
杨洁中国证券报·中证网
中证网讯(记者 杨洁)中国证券报记者6月21日从长江存储获悉,6月20日,由长江存储实施的国家存储器基地项目二期(土建)在武汉东湖高新区开工。
在开工仪式上,紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍,国家存储器基地项目一期开工建设以来,从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂,实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。
长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产,并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。