聚灿光电Micro LED CPO光芯片攻坚取得新突破

中证报中证网讯（记者 程雪儿）11月3日下午，聚灿光电发布文章称，公司面向Micro LED CPO光芯片项目迎来新节点，公司同步推进巨量转移与阵列芯片两条工艺路线，均已取得阶段性进展。

据公司介绍，巨量转移工艺路线聚焦Micro LED芯片的高效批量转移与集成，旨在解决光互连规模化制造的转移难题；阵列芯片工艺路线则从芯片结构设计端切入，优化发光效率与耦合性能。两条路线并行推进，互为补充，为后续商业化量产奠定工艺基础。

“Micro LED CPO是解决AI算力中心短距互连功耗瓶颈的重要技术方向。”公司相关负责人表示。与传统电互连相比，Micro LED光互连在功耗和带宽密度上具有显著优势，有望在数据中心机柜内短距高速传输场景中率先实现商用。

产学研布局同步加速。2026年8月，聚灿光电与中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所签署合作协议，共建“光互连Micro-LED与空间光伏创新联合实验室”，重点攻关光互连芯片关键技术。此前，公司已申请“一种用于光通信领域的Micro LED外延结构”专利，从nGaN层、有源层、EBL层三个维度协同优化，瞄准AI算力光互连对高速与节能的底层需求。

从2021年联合中国科学院半导体研究所布局可见光通信，到2026年联手苏州纳米所攻关光互连Micro LED芯片，聚灿光电在光通信领域的布局已持续多年。公司表示，坚持内部核心技术攻坚与外部联合实验室双线并行，基于当前研发进展及与潜在客户的初步对接，光互连产品的商业化认证有望在未来一到两年内取得阶段性突破。