台基股份拟定增不超7亿元 升级新型高功率半导体器件

　　根据公告，台基股份募集资金将用于新型高功率半导体器件产业升级项目，具体包括：月产4万只IGBT模块（兼容MOSFET等）封测线，兼容月产1.5万只SiC等宽禁带半导体功率器件封测项目；月产6500只高功率半导体脉冲功率开关（又称“固态脉冲开关”）生产线建设项目；晶圆线改扩建项目，该生产线将同时兼容6500V以上高压晶闸管芯片生产；新型高功率半导体研发中心和营销中心建设项目。

　　其中，公司计划拓展高功率密度、高性能应用的IGBT模块产品，技术规格将升级到2000A/4500V，主要应用于高压变频、智能电网和新能源汽车等领域。同时，该封测线将兼容MOSFET、SiC等半导体功率器件的生产，有助于公司进一步丰富产品结构、拓宽收入来源。

　　公司表示，此次募投项目将进一步推动脉冲功率开关产品线的产品升级，规格将进一步提升至500kA/6500V，产品将直接应用于智能电网、国防科技、环保技术等领域。而晶圆产线改扩建项目，作为与固态脉冲开关核心芯片完整配套的前道工序，将直接应用于高功率半导体脉冲功率开关的芯片生产。

　　经测算，募投项目达产后年均销售收入（不含税）为7.975亿元，年均税后利润为1.4423亿元，所得税后内部收益率为28.8%。据介绍，除晶圆线改扩建项目将在湖北襄阳市公司总部实施以外，其他三个项目都将由北京亦庄子公司实施。

　　目前，中国正面临着半导体第三次产业转移的历史性发展机遇，中国以及全球的IGBT、MOSFET以及第三代宽禁带半导体市场仍由外资企业占据主导地位，国产替代是大势所趋。未来十年，功率半导体产业供给端将面临结构性变化，欧美厂商将逐渐退出中低压功率器件领域，我国本土厂商将成为国内功率半导体市场的主力。

　　随着技术的更新和发展，新能源、新能源汽车等新兴领域逐渐成为功率半导体的重要需求市场，“中国智造”时代的来临也为我国功率半导体产业带来更多的增长机遇和结构性变化。

　　公司表示，未来将重点开发新型IGBT模块等智能化功率器件，继续保持在大功率半导体脉冲开关领域的技术和产品优势，还将持续研发以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术。