科创芯片设计ETF（588780）冲击三连涨
魏昭宇
中国证券报·中证网
中证网讯 截至3月6日11:00，科创芯片设计ETF（588780）上涨1.57%，冲击3连阳；该ETF所跟踪指数的50家科创芯片龙头中，超30只实时上涨，RISC-V相关企业权重占比超25%；寒武纪-U、海光信息等多只重仓股涨幅超5%。
受国产RISC-V技术生态利好刺激，A股芯片板块资金净流入持续加码。科创芯片设计ETF（588780）3月5单日成交额突破1亿元，创上市以来新高；近一周净流入1.16亿元，年内累计涨幅达20.99%，居全市场芯片类ETF涨幅前列。
科创芯片ETF（588780）具备科创板的20%涨幅弹性优势，其成份股芯原股份，已推出多款RISC-V IP核并深度绑定头部客户，近两日股价累计大涨33.46%，成为拉动ETF净值的核心力量。
政策与市场双重驱动下，RISC-V赛道迎来爆发期。SHD Group预测2030年全球RISC-V芯片市场规模将达927亿美元，年复合增长率47.4%。科创芯片设计ETF（588780）聚焦RISC-V生态，持仓中相关企业权重占四分之一以上，有望持续受益于渗透率提升与AI需求爆发。投资者可借力该ETF一键布局。（魏昭宇）
