重磅！紫光集团“DRAM计划”落地重庆 预计2021年建成投产

　　中证网讯（记者 吴科任）继6月30日宣布组建DRAM事业群以来，紫光集团“DRAM计划”备受业界关注。中国证券报记者从紫光集团最新获悉，8月27日，重庆市人民政府与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金，建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。DRAM存储芯片制造工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。

　　据介绍，进击DRAM，紫光集团是有备而来。一方面，经过多年的发展，紫光集团在存储器的设计制造领域已形成一定基础，积累了从设计、生产、测试、方案构建到全球量产销售等研发和产业化经验。在DRAM领域，紫光集团旗下西安紫光国芯自主创新出全球首系列内嵌自检测修复DRAM存储器产品（ECC DRAM）。紫光集团借助长江存储和武汉新芯的平台，聚集了大量的三维闪存和DRAM的工艺研发人员，工艺研发人员人数近2000人。目前长江存储和武汉新芯的员工人数近6000人。

　　另一方面，出任DRAM事业群的董事长刁石京和CEO高启全均在集成电路及存储领域有深厚的技术积累和丰富的产业经验。两人加入紫光集团已有时日，这对理解紫光集团建设“从芯到云”的产业链也更为深刻。   

　　从行业角度看，目前全球超过90%的DRAM市场份额集中在三星、海力士、美光这三家公司手里，国内DRAM制造厂商仅有两家（尚未大规模投产），紫光集团进击DRAM，或将对全球DRAM市场产生深远影响。